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芯恩申请一种半导体器件及其制备方法专利降低线宽效应的同时保护衬底表面材料及掺杂分布不受损耗

更新时间:2025-12-20

  国家知识产权局信息显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN121038353A,申请日期为2025年8月。

  专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件及其制备方法,方法包括:垫氧化层及硅化物阻挡层顺形覆盖第一区及第二区表面,去除第一区硅化物阻挡层;牺牲材料层填充并覆盖第一区及第二区表面;去除部分牺牲材料层至低于栅极结构预设高度,去除显露的垫氧化层,减薄第一区侧墙结构暴露栅极结构顶壁;去除牺牲材料层,减薄第一区侧墙结构,去除垫氧化层,暴露第一区衬底表面,形成金属硅化物。本发明在去除硅化物阻挡层后及减薄侧墙结构前设置牺牲材料层覆盖衬底表面的垫氧化层,在降低线宽效应的同时保护衬底表面材料及掺杂分布不受损耗,降低SPT技术对金属硅化物工艺的限制;同时设置去除垫氧化层及第一减薄工艺的刻蚀选择比,保证牺牲材料层对垫氧化层的保护。

  天眼查资料显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司,成立于2018年,位于青岛市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析,芯恩(青岛)集成电路有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目188次,财产线条,此外企业还拥有行政许可56个。

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