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　　近日，英特尔宣布已安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统。这是目前全球最先进的光刻机，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特尔晶圆厂的验收测试，以提高晶圆产量。

　　据悉，TWINSCAN EXE:5200B在标准条件下，产量达到了每小时175片晶圆，英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还提升了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔过去一年多对High-NA EUV光刻机使用经验之上。

　　英特尔表示，High-NA EUV是其晶圆代工技术库中的重要能力，结合了自身在掩模、蚀刻、分辨率增强和计量等相关领域的技能，实现了当今芯片所需的更精细晶体管细节。对设计师来说，这带来了更灵活的设计规则，减少步骤和掩蔽次数的能力意味着流程更简化，良品率更高，而且时间更短。

　　在上周的2025 IEEE IEDM上，英特尔还与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层，核心创新是选择性凹陷刻蚀。

　　今天，荣耀手机宣布，荣耀WIN系列发布会将于12月26日14:30举办，号称“超神性能双旗舰”。此次荣耀双旗舰将同台登场，荣耀还公布新机外观，系列包含两款机型，分别采用后置双摄与三摄方案。根据官方透露的信息，两款机型命名分别是：荣耀WIN、荣耀WIN RT。

　　荣耀WIN系列共三款配色，分别是：指定赢、快开黑、不怕蓝。背壳采用雾面设计，不粘指纹还防汗，在游戏过程中带来更丝滑舒适的触感。

　　荣耀WIN和荣耀WIN RT外观整体保持家族设计，荣耀WIN作为高配版，拥有后置三摄，荣耀WIN RT则是双摄。

　　核心配置上，荣耀WIN将搭载6.83英寸的1.5K LTPS大直屏，搭载高通第五代骁龙8至尊版平台，内置10000mAh超大电池，支持100W有线W无线充；荣耀WIN RT搭载高通骁龙8至尊版平台，同样内置10000mAh电池，支持100W有线闪充。

　　据TrendForce报道，随着HBM4竞赛的加速，大家的注意力放在了哪个供应商能够获得英伟达最多订单上，用于下一代Rubin架构数据中心GPU。传闻三星和SK海力士都已经向英伟达交付了HBM4最终样品，这标志着产品已基本达到客户要求，正式进入以商业合作为导向的预约合同阶段。最后的障碍只剩下质量资格认证，预计2026年第一季度将锁定具体价格和订单量。

　　早在今年9月，SK海力士率先宣布已成功完成HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。传闻SK海力士向英伟达提供了大约2万到3万个HBM4样品，用于大规模生产前的最终测试和验证工作。考虑到在HBM3和HBM3E上的优异表现，外界普遍认为SK海力士将获得英伟达最多的HBM4订单。

　　相比于HBM3E大幅落后的局面，三星在HBM4上奋起直追。本月初有消息传出，三星已经在上个月完成HBM4的内部可靠性测试，目前已进入最后预量产阶段。如果一切顺利，三星将大幅拉近与竞争对手SK海力士在HBM3E时代的市场差距，从过去的六个月缩短至一个月，成为英伟达第二大HBM4供应商。

　　由于采用了领先竞争对手一代的制造工艺，三星在其他潜在客户那里也获得了积极的反馈。有消息称，三星HBM4在博通的测试中表现超过了预期，高于目标性能，博通给予了积极的评价。

　　12月17日，华为WATCH十周年款正式官宣将在12月22日14:30的nova 15系列发布会上登场。从官方海报来看，这款十周年款应该是基于华为WATCH 5系列打造，采用了类似的外观设计，只是用上了新配色和特殊表带。

　　华为WATCH 5于今年6月11日发布，搭载鸿蒙5系统，也是首款鸿蒙AI智能手表。搭载全新智慧助手小艺，支持小艺健康问答、小艺运动操控、小艺生活助手等。此外还支持手势遥控拍照，手势控制闹钟，以及充当星闪车钥匙等。

　　其最大的特色是行业首发的侧边X-TAP智感窗，首创三合一传感器（PPG+ECG+压感），不仅能玩压感游戏，业界首发指尖实时血氧，同时支持免气囊高血压风险研究。用户只需指尖轻触表冠3秒，就能完成血氧、血管弹性、压力值等11项核心指标检测，60秒生成完整健康报告。

　　据外媒最新报道称，苹果可能将对下一代iPhone外形进行大变革，苹果计划彻底摒弃“灵动岛”药丸形挖孔，转而在iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max上采用左上角单打孔前置镜头与屏下Face ID技术。

　　为了让不少用户能够直观的理解新iPhone的外观，还有相关设计概念图被一同被放出。

　　此前也曾有消息称，iPhone 18 Pro屏幕形态会有变化，苹果正测试特殊HIAA挖孔方案，主摄测试可变光圈；横向大Deco不变，后盖有透明设计，PM首次采用钢壳电池。供应链人士表示，相比于完全隐藏但会导致画质受损的屏下摄像头（CUP/UPC）方案，HIAA作为“打孔屏”的终极形态，被认为是在2027年实现完美全屏前最稳妥的高画质自拍方案。

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